微组装比赛理论试题集库
0 2020 年成都高新“技高一筹，能为匠新”
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一、 填空题 1、微组装是在高密度多层互连基板上，采用表面贴装和互连工艺，将构成电子电路的集成电路芯片、片式元器件及各种微型元器件组装起来，并封装在同一外壳内，形成高密度、高速度、高可靠性的 3D 立体结构的高级微电子组件。
2、闭环引线长度不应超过金属丝直径的 100 倍。但在某些多 I/O 情况下，引线长度可能要超过 5mm。键合设备在芯片与引线框架之间牵引金属丝时不允许有垂直方向的下垂和水平方向的摇摆。
3、钎焊密封工艺主要用于 陶瓷封装 和 金属陶瓷封装 。
4、金丝的质量和直径对键合质量都有影响。金丝的纯度一般为 99.99%以上，且要求尺寸精确、表面均匀无污染、达到标准的拉断力和延展率。
5、将未封装的半导体裸芯片直接安装在
微波多芯片组件（MCM）
基板上，是微组装技术的重要进步。
6、在进行热超声金丝球形键合时，应调整好 EFO 打火强度及丝尾端与打火杆的间隙大小，成球的直径宜为金丝直径的 2 倍~3 倍。
7、焊盘清洁方法现在普遍采用分子清洁方法即离子清洁或紫外线臭氧清洁。
8、环氧贴装是用导电或绝缘环氧树脂胶将裸芯片和（或）片式阻容元件贴装在基板上，并通过加热固化环氧树脂实现芯片（元件）与基板间的物理连接。
9、再流焊是在电路板的焊盘上预涂的焊锡膏经过干燥、预热、熔化、润湿、冷却，将元器件焊接到印制板上的工艺。
10、共晶焊是将二元或三元合金焊料加热到不小于其共熔温度（也即共晶温度）而熔融，并经冷却直接从液态共熔合金凝固形成固态共晶合金，实现芯片等元件的焊接的工艺。
11、倒装焊是一种 IC 裸芯片基板直接装的互连方法，将芯片面朝下放置，通过加热、加压、超声等方法使芯片电极或基板焊区上预先制作的凸点变形（或熔融塌陷），实现芯片电极与基板焊区间的对应互连焊接的工艺。
12、引线键合是使极细金属丝的两端分别附着在芯片、基板或外壳引脚上，从而在它们之间形成电气连接的工艺。
13、平行缝焊是借助于平行缝焊系统，由通过计算机程序控制的高频大电流脉冲使外壳底座与盖板在封装界面缝隙处产生局部高热而熔合，从而形成气密性封装的一种工艺手段。
14、激光焊是以聚焦的激光束作为能源轰击焊件所产生的热量进行焊接的工艺。
15、钎焊是采用熔点或液相线温度与母材低的填充材料（钎料）。在加热温度低于母材熔点的条件下实现金属间冶金结合的工艺。
16、涂覆是在电路板特定区域运用机械的、化学的、电化学的、物理的方法施加塑性的或非塑性的非导电薄层涂料，起到环境保护和（或）机械保护作用。
17、将粘片好的电路基片先放在压焊底座上预热2～3 分钟，再放入键合平台，并固定，调节好工作台的高度，保证被压件表面与劈刀端面能平行接触，同时机器能在所要求的行程内工作；调节好键合台上显微镜的放大倍数和焦距，至清晰为止。
18、半导体器件的贴装，应采取防静电措施。
19、有欧姆接触要求的器件应采用掺银或金的导电环氧胶进行贴装。
20、无欧姆接触要求的器件宜采用绝缘环氧胶贴装。
21、有散热要求的器件应采用导热环氧胶贴装。
22、在环氧贴装工艺时，应按规定方法配制多组分浆料型环氧胶，环氧胶使用前应充分搅拌均匀并静置或真空除泡；环氧胶在冷冻环境下贮存时，使用前应在室温下施置，充分解冻。
23、按所施能量方式的不同，引线键合工艺可分为热压键合、超声波键合、热压超声波键合。
24、按引线键合形式的不同，引线键合工艺可分为球形键合和楔形键合。
25、按键合材料的不同，引线键合工艺可分为金丝键合、铝丝键合、铝硅丝键合、铜丝键合。
26、引线键合前宜先校验引线键合规范，确认工艺数的稳定性，并检查基板材料可键合性。
27、应根据装配图纸要求确定引线材料、型号和尺寸，引线安置在键合工具的过程中应保证引线表面的清洁。
28、劈刀安装长度是影响键合质量形成的重要因素，实际引线键合过程中应充分考虑其带来的影响。
29、劈刀是金丝键合的直接工具，楔焊劈刀用于金丝、金带、铝丝、铝带等键合，主要分为深腔、非深腔、粗铝、金带／铝带键合等几大类，多为钨钢材料，刀头部分材料为陶瓷。
30、引线键合后应在显微镜下目检引线和键合质量，并应进行键合拉力测试。
31、选用铜线进行引线键合时，宜在氮气或氮氢混合气体的保护气氛中进行。
32、微组装工艺宜采用气相清洗、超声清洗、等离子清洗方式。
33、金属腔体、盖板及绝缘子的清洗可采用超声气相清洗，在加热的清洗剂中超声清洗，接
着冷却漂洗，然后蒸汽清洗，最后氮气吹干；表面污染严重或去除氧化物时，应加入抛光剂。
34、金丝球焊机应配置承片台、操作随动系统、显微镜、照明装置和针形劈刀，利用“热能+超声能”、使用针形劈刀和高纯微细金丝实现第一、第二焊点分别为球形焊点、半月形楔形焊点的引线键合。
35、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：掺杂特性、热敏特性、光敏特性。
36、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做空穴 ，带负电的载流子叫做自由电子；N 型半导体中多数载流子是自由电子，P 弄半导体中的多数截流子是空穴。
37、把单向脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为滤波电路。
38、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗小 ，对直流电的阻抗大的特性，整流后的脉动直流电中的交流电分量由电容滤掉，只剩下直流分量加到负载的两端。
39、电容的主要参数有：
容值
、 耐压值 、 耐温值 、 误差度 。
40、电阻色环分为 四条 色环和 五条 色环，五色不前三环为：有效数字，第四环为 倍乘数，最后一环为 误差 。
41、整流电按整流相数，可分为 单相 与 三相
两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为 半波
与
全波
两种。
42、对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备的一些要求是 导电率 、高黏附性、 淀积
、 平坦化 、可靠性、抗腐蚀性、应力等。
43、集成电路的发展时代分为：小规模集成电路 SSI、中规模集成电路 MSI、 大规模集成电路 LSI 、超大规模集成电路 VLSI、 盛大规模集成电路 ULSI 。
44、制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或
硅衬底
。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为 微芯片 或 芯片 。
二、判断题 1、元器件在印制板上的安装原则：先低后高、先轻后重、先小后大、先一般后特殊；先元器件后器件，先集成后分立(应为:分立后集成)，先高温后低温。
X 2、引线键合拉力测试可采用键合拉脱、单个键合点的引线拉力、双键合点的引线拉力等测试方法。√ 3、球形键合一般采用 D50µm(应为:D75µm)以下的细 Au 丝，一般用于焊盘间距大于 100µm 的情况下。
X 4、键合操作时必须戴上胶指套或防静电手套，以及防静电手腕，不允许裸手接触产品。√ 5、含有晶体器件、陶瓷器件的组件的清洗，有裸芯片的、键合金丝后的清洗不宜采用超声
清洗。√ 6、设备应对外加应力提供经过校准的测量和指示，测量应力应达到规定极限值的 2 倍，准确度应为±5%或±2.5(应为±2.9)×10-3 N(0.3gf）（取其大值）。
X 7、热压超声波键合：焊接时需要提供外加热源，通过超声磨蚀掉焊接面表面氧化层，在一定压力下实现两种金属的有效连接和金属间化合物的扩散，从而形成焊点。√ 8、采用金丝进行铝键合区 IC 芯片的引线键合时，键合加热温度不宜高于 150℃。√ 9、由于劈刀针尖形状、键合丝材料及断丝方式等的不同，所得到的键合点（焊点）形状将不同，常见的三种焊点有球形焊点、半月形楔形焊点和高尔夫勺形楔形焊点。√ 10、某元件与理想电流源串联，其等效关系为该理想电压源(应为:电流源)。
X 11、电容在直流稳态电路中相当于开路。
√ 12、斜视图仅用于表达机件倾斜部分的实形，其它部分在斜视图中不反映实形，故不必画出，其断裂边界线以波浪线表示。
√ 13、微组装工艺应按温度从低逐步到高(应为:高逐步到低)进行操作，各工艺应按共晶焊、再流焊（表面组装）、倒装焊、粘片、引线键合、密封的次序降序排列。
X 14、键合加热温度不宜低于(应为:高于)150℃是为了使电路经受高温的时间尽量短。
X 15、常用键合工具（劈刀）有两种不同的基本外形，即从针尖斜下方背面送丝的楔形劈刀和中空垂直向下送丝的针形劈刀（焊针）。
√ 16、应选择劈刀规格，楔形劈刀的刀尖宽度、针形劈刀（焊针）的轴也直径宜为引线直径的1.3 倍~1.6 倍。
√ 17、按照键合工艺参数是为了确保不损伤芯片、有较大的键合强度和好的焊点形态，工艺参数决定着引线的弧形是否合适，键合点是否牢靠。√ 18、对微组装中基板、金属腔体、组件、电路片上需要清除的颗料、油污、助焊剂、氧化物、多余物去除时，应采用清洗工艺。√ 19、电路上、焊料上等残留氧化物、引线键合焊盘上氧化物、多余的环氧粘接剂的清除宜采用等离子清洗。√ 20、微组装清洗工艺的工作媒介宜为化学溶剂、等离子体气体、紫外臭氧气氛、水。√ 21、热台温度较高，为避免烫伤，在放置器件时，不能用手直接抓取，都要用镊子。√ 22、用内六角板板手松开位于换能器前面的劈刀锁紧螺丝取下旧劈刀将新劈刀从下向上装入，通常将劈刀顶端与换能器的上表面保持同一平面，拧紧劈刀锁紧螺丝。√
23、手动丝焊机价格是自动线焊机的 1/3，价格便宜，操作灵活，适用于各种电路与芯片的互连，相比全自动丝焊机效率较低。√ 24、键合力加载是否准确直接影响到引线焊接的成功与否，键合力太小会导致一、二焊点不粘，键合力太大会导致一焊点过键合而二焊点金球压溃(应为:一焊点金球压溃而二焊点过键合)。X 25、铝硅丝楔焊机和粗铝丝楔焊机应配置有承片台、操作随动系统、显微镜、照明装置和楔形劈刀，利用超声能并辅助利用热能、使用楔形劈刀和微细铝硅丝（粗铝丝）实现第一、第二焊点均为高尔夫勺形楔形焊点的引线键合，也可实现微细金丝的楔形键合。√ 26、热压键合：适合在耐高温的基板上键合，通过加热和加压，使焊接区金属发生塑性变形，破坏压焊界面上的氧化层，在高温扩散和塑性流动的作用下，使固体金属扩散键合。√ 27、超声波键合：在室温下，由键合工人引导金属引线与待焊金属表面相接触，在高频震动与压力的共同作用下，破坏界面氧化层并产生热量，使两种金属牢固键合。√ 28、键合引线的直径和延展率对于引线电气传输的性能和可靠性有较大影响。√ 29、球形键合一般采用 D75µm 以下的细 Au 丝，一般用于焊盘间距大于 100µm 的情况下，目前也有用于 50µm 焊盘间距的例子。√ 30、键合工具（劈刀）应与引线直径相适应，劈刀的几何参数直接影响着焊点的形状及键合质量。√ 31、场效应管和晶体管相比，栅极相当于基极，漏极相当于发射极，源极相当于集电极。√ 32、普通二极管管体上有白色标示的一边为负极。
√ 33、（应加电子和空穴）两种载流子都参加导电的半导体（应加器件）称为“双极型器件”。
X 34、电容量的基本单位是欧姆（应为：法拉）。
X 35、扼流线圈又称为扼流图、阻流线圈、差模电感器，是用来限制交流电通过的线图，分高频阻流圈和低频阻流圈。
√ 36、最有效的复合中心能级位置在 E D (应为：Ei）附近；最有利陷阱作用的能级位置在 E F 附近，最常见的是少子陷阱。
X 37、能够由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料一般为 p 型（应为 n 型）。
X 38、在硅基 MOS 器件中，硅衬底和 SiO 2 界面处的固定电荷是过剩的硅离子，它的存在使得半导体表面的能带向上（应为向下），在 C-V 曲线上造成平带电压向正向电压方向（向负向
电压方向）偏移。
X 39、与三极管相比较，场效应晶体管中电流只经过一个相同导电类型的半导体区域，所以场效应管也称为单极型晶体管。
√ 40、晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
√ 41、集成电路是由 Kilby 和 Noyce 两人于 1959 年分别发明，并共享集成电路的专利。
√ 42、在半导体生产中，湿法腐蚀（应为干法刻蚀）是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
X 43、纯净的半导体是一种有用的半导体。
X（纯净的半导体称为本征半导体，一般都需要掺杂才能导电）
44、在半导体产业界第一种类型的 CVD 是 APCVD。
√ 45、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫短路（应为开路）。
X 三、选择题 1、为使焊料在基本金属上有良好的浸润流散，钎焊密封工艺在实际生产中选择钎焊温度要比焊料流点高 20~50℃左右。目前焊料一般选用 AuSn 20 共晶焊料，它的流点为
，钎焊温度应选
。
（
C
）
A、280℃，300~330℃
B、260℃，280~300℃ C、280℃，280~300℃
D、260℃，300~330℃ 2、紫外线臭氧清洁通过发射
和
波长的辐射线进行清洁。
（
D
) A、183.7mm，254.9mm
B、189.4mm，254.9mm C、189.4mm，253.7mm
D、184.9mm，253.7mm 3、环氧树脂类和聚酰胺类粘合剂都属于
粘合剂。
（
B
) A、热塑性
B、热固性
C、结构性
D、光敏性
4、微组装过程中常见的键合焊盘有
和封装金属盒体焊盘。（
D
) A、裸芯片焊盘、印制电路基板焊盘、薄膜电路基板焊盘 B、印制电路基板焊盘、薄膜电路基板焊盘 C、裸芯片焊盘、印制电路基板焊盘、LTCC 电路基板焊盘 D、裸芯片焊盘、印制电路基板焊盘、薄膜电路基板焊盘、LTCC 电路基板焊盘 5、引线键合时应选择劈刀规格，楔形劈刀的刀尖宽度、针形劈刀（焊针）的轴孔直径宜为
引线直径的
。
（
B
）
A、1.2 倍~1.5 倍
B、1.3 倍~1.6 倍
C、1.2 倍~1.6 倍
D、1.3 倍~ 6、在选用铜丝进行引线键合时，宜在
的保护气氛中进行。
（
D
）
A、氮气
B、氢氯气体
C、氮氢混合气体
D、氮气或氮氢混合气体 7、为消除静电危害，可采取的有效措施是
。
（
C
）
A、保护接零
B、绝缘
C、接地 8、元件引脚的剪脚高度为
。
（
B
）
A、0.5MM 以下
B、0.5-2.5MM
C、2.5MM 以上 9、电阻按照封装来分，分为
。
（
A
）
A、贴片电阻、插件电阻
B、水泥电阻、功率电阻
C、色环电阻、标码电阻 10、图 1 电路，电容 C ab 等于
。（
D
）
A、1F
B、4F C、9F
D、11F
图 1 11、列节点方程时，要把元件和电源变为
才列方程式。
（
C
）
A、电导元件和电压源
B、电阻元件和电压源 C、电导元件和电流源
D、电阻元件和电流源 12、
就表示电气装置，设备或元件的连接关系，是进行配线、接线、调试不可缺少的图纸。
（
B
）
A、电气系统图
B、电气接线图
C、电气原理图
D、电气布置图 13、下列参数哪个和弧度有关？（铝丝键合）
(C) A、FORCE
B、POWER
C、LOOP VALUE
D、TIME 14、常用作为键合引线尺寸(µm) 为Φ25 的金丝，允许的最大电流为 0.65A，破坏性拉力（GJB 548B）为 3g。
（
A
）
A、0.65，3
B、0.32，3
C、0.65，1.5
D、0.32，1.5 15、键合引线材料为 Cu 时，其热膨胀系数×10-6 /℃为 16.5，热导率[W/(m·K]是 384，密度（g/cm3 ）为 8.9。
（
B
）
A、16，348，9
B、16.5，384，8.9
C、16，384，8.9
D、16.5，348，8.9 16、常用作为键合引线尺寸(µm) 为Φ12.7 的金丝，允许的最大电流为 0.16A，破坏性拉力
（GJB 548B）为 1.5g。
（
C
）
A、0.32，3
B、0.16，3
C、0.16，1.5
D、0.32，1.5 17、常用作为键合引线尺寸(µm) 为Φ18 的金丝，允许的最大电流为 0.32A，破坏性拉力（GJB 548B）为 2g。
（
D
）
A、0.32，3
B、0.16，2
C、0.16，3
D、0.32，2 18、键合引线材料为 Al 时，其热膨胀系数×10-6 /℃为 24.3，热导率[W/(m·K]是 201，密度（g/cm3 ）为 2.7。
（
C
）
A、24.9，201，2.7
B、24.3，200，2.1
C、24.3，201，2.7
D、24.9，200，2.1 19、常用作为键合引线尺寸(µm) 为 75×12.5 的金带，允许的最大电流为 1.3A，破坏性拉力（GJB 548B）为 4.5g。
（
B
）
A、1.2，7.5
B、1.3，4.5
C、1.3，7.5
D、1.2，4.5 20、常用作为键合引线尺寸(µm) 为 150×12.5 的金带，允许的最大电流为 2.6A，破坏性拉力（GJB 548B）为 7.5g。
（
A
）
A、2.6，7.5
B、2.4，4.5
C、2.6，4.5
D、2.4，7.5 21、常用作为键合引线尺寸(µm) 为 75×25 的金带，允许的最大电流为 2.6A，破坏性拉力（GJB 548B）为 7.5g。
（
A
）
A、2.6，7.5
B、2.4，4.5
C、2.6，4.5
D、2.4，7.5 22、以下哪种情况下会造成铝线断线？
（
D
）
A、送线不畅
B、焊头 SETUP 不良
C、设备走带不良
D、以上全部选项 23、10MIL 的铝线钩子拉力值设定为多少 g?
(
D
）
A、10
B、20
C、40
D、80 24、键合引线材料为 Au 时，其热膨胀系数×10-6 /℃为 14.2，热导率[W/(m·K]是 317，密度（g/cm3 ）为 19.3。
（
A
）
A、14.2，317，19.3
B、12.4，307，19.3
C、14.2，317，19.1
D、12.4，307，19.1 25、纯 Al 过于柔软而不能拉拔成精细的丝状，因此通常添加 1%Si 或 1%Mg 以合金强化。
(
A
) A、1%Si，1%Mg
B、2%Si，2%Mg
C、3%Si，3%Mg
D、5%Si，5%Mg 26、楔形键合的一个主要优点是适用于精细尺寸，如 50µm 以下的焊盘间距。最常间的楔形键合工艺是 Al 丝超声波键合，其成本和键合温度较低。而 Au 丝楔合的主要优点是键合后不需要密闭封装，由于楔形键合形成的焊点小于球形键合，可实现最小的拱弧，特别适用于微
波器件。
(
B
) A、100µm，Au 丝
B、50µm，Au 丝
C、50µm，Al 丝
D、100µm，Al 丝 27、严格的镜检可以有效的剔除内引线键合的不合格，分别通过 40 倍左右和 1000 倍左右的显微镜观察。
(
A
) A、40、1000
B、400，1000
C、40、100
D、400、100 28、键合设备调试时，首先进行键合力的标定，之后是扫描超声波的频率。当键合头系统调节完后，再进行焊线实验，最后对焊好的金线进行质量评价。
(
A
) A、键合力的标定，扫描超声波的频率，焊线实验 B、扫描超声波的频率，键合力的标定，焊线实验 C、键合力的标定，焊线实验，扫描超声波的频率 29、根据图纸要求取出相应的金丝或金带，并将其固定在线轴架上。穿丝时，先打开线夹开关，用镊子将丝依次穿过导线器，线夹，劈刀垂直孔和给线孔，然后拉动很少长度的一段金丝或金带以确定焊丝穿线正确，无摩擦，最后关掉线夹开关。
(
D
) A、导线器，线夹，给线孔和劈刀垂直孔 B、线夹，导线器，给线孔和劈刀垂直孔 C、线夹，导线器，劈刀垂直孔和给线孔 D、导线器，线夹，劈刀垂直孔和给线孔 30、引线键合工艺宜在等于或优于 7 级净化区中进行。
(
B
) A、8 级
B、7 级
C、2 级
D、5 级 31、在单相半波整流电路中，如果负载电流为 20A，则流经整流二极管的电流为（ C ）
A、9A
B、10A
C、20A
32、在电源变压器副边电压相同的情况下，半波整流电路输出电压是桥式整流电路的（ C ）倍。
A、2
B、0.45
C、0.5
D、1
33、在单相全波整流电路中，电源变压器副边电压有效值为 E2，则每只整流晶体二极管所承受的最高反向电压为（ C ）。
A、E2
B、 2 E 2
C、2 2 E 2 34、当环境温度升高时，半导体的电阻将（ B ）。
A、增大
B、减小
C、不变
35、对于一定的 N 型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（ B ）。
A、上移
B、下移
C、不变 36、空穴是（
）。
A、带正电的质量为正的粒子
B、带正电的质量为正的准粒子 C、带正电的质量为负的准粒子
D、带负电的质量为负的准粒子 37、砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。
A、直接
B、间接 38、P 型半导体发生强反型的条件（
B
）。
A、 iAsnNqT kV ln0
B、 iAsnNqT kV ln2 0 C、 iDsnNqT kV ln0
D、 iDsnNqT kV ln2 0 39、金属和半导体接触分为：（
B
）
A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触。
B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触。
C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触。
D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触。
40、对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是(
B
)。
A、声学波散射和光学波散射
B、声学波散射和电离杂质散射 C、光学波散射和电离杂质散射
D、光学波散射 41、电容器容量与电荷关系是（ B ）。
A、电容量越大，存储电荷越少
B、电容量越大，存储电荷越多
C、电容量越小，存储电荷越多 42、本征半导体是指（
A ）的半导体。
A、不含杂质和缺陷
B、电阻率最高
C、电子密度和空穴密度相等
D、电子密度与本征载流子密度相等 43、下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（ A
) A、含硼 1×1015 cm -3 的硅
B、含磷 1×10 16 cm -3 的硅 C、含硼 1×1015 cm -3 ，磷 1×10 16 cm -3 的硅
D、纯净的硅
44、NPN 型和 PNP 型晶体管的区别是（ C ）。
A、由两种不同材料硅和锗制成的
B、掺入杂质元素不同
C、P 区和 N 区的位置不同 45、选用电容器应注意什么？（
C
) A、电容量编号前缀
B、电容量放大倍数
C、电容量标称值和耐压值 四、简答题 （一）可能影响内引线键合可靠性的因素主要有哪些？ 1、界面上绝缘层的形成在芯片上键合区光刻胶或窗口钝化膜未去除干净，可形成绝缘层。
2、金属化层缺陷。
3、表面沾污，原子不能互扩散。外界环境净化度不够；人体净化不良；芯片、管壳等未及时处理干净；金丝、管壳存放过久等。
4、材料间的接触应力不当。
5、环境不良超声键合时外界振动、机件振动或管座固定松动，或位于通风口，均可造成键合缺陷。
6、键合引线与电源金属条之间放电引起失效。
（二）影响金丝球焊质量的基本因素可简单归结为：
1、 金属球径：控制在金属丝直径的 2~3 倍 2、 劈刀压力：保证压焊的直径为金丝直径的 3~3.5 倍 3、 劈刀的温度在 340°C 4、 压焊时间：0.5~2S 5、 保证劈刀和焊盘区的洁净度 6、焊盘区的金属化层厚度与质量
（三）内引线检查中使用不合格判据：
1、 引线的短缺或多余； 2、引线与任何暴露的金属（无论是金属化条、金属丝还是金属导体）之间交叉的空隙小于引线直径的 2 倍 ； 3、引线上存在的裂口、弯曲、割口、卷曲、刻痕或颈缩使引线直径 小于 25% 以上，引线和键合的结合处出现撕裂；
4、 从管芯键合区到引线键合区之间的引线为直线而不是弧形。
（四）引线键合基本要求包括：
1、首先要对焊盘进行等离子清洗； 5、 注意焊盘的大小，选择合适的引线直径； 6、 键合时要选好键合点的位置； 7、 键合时要注意键合时成球的形状和键合强度； 6、 键合时要调整好键合引线的高度和跳线的成线弧度。
（五）楔形键合工艺的设计方面，一般应遵循以下原则：
1、使键合点只比金属丝直径大 2-3µm 也可能获得高强度连接； 2、焊盘长度要大于键合点和尾丝的长度； 3、焊盘的长轴与引线键合路径一致； 4、焊盘间距的设计应保持金属丝之间距离的一致性。
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